เทคโนโลยีฮิเซมิ
เมื่อเร็วๆ นี้ HISEMI TECHNOLOGY ได้เปิดตัวอุปกรณ์การบดและขัดเงาที่มีความแม่นยำในห้องปฏิบัติการแบบ dual station รุ่นใหม่อย่างเป็นทางการ ผลิตภัณฑ์ใหม่มุ่งเน้นไปที่สถานการณ์การบดและการขัดเงาตัวอย่างในปริมาณน้อยสำหรับวัสดุแข็งและเปราะ เช่น-เซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม ผลึกแสง และเซรามิกพิเศษ ซึ่งช่วยเติมเต็มช่องว่างในการปรับ-อุปกรณ์เตรียมตัวอย่างที่มีความแม่นยำสูงเฉพาะท้องถิ่นในการวิจัยทางวิทยาศาสตร์ในประเทศ
การพัฒนาวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ใหม่ได้กระตุ้นความต้องการการบดและการขัดเงาที่มีความแม่นยำ
ด้วยการขยายตัวอย่างรวดเร็วของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ยุคที่สาม- เช่น ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) และแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) มหาวิทยาลัยหลักๆ สถาบันการวิจัย และห้องปฏิบัติการ R&D ขององค์กรเซมิคอนดักเตอร์กำลังอัปเกรดความต้องการอย่างต่อเนื่องในด้านความเรียบของพื้นผิว ความแม่นยำของความหนา และตัวชี้วัดความหยาบของพื้นผิว อุปกรณ์บดแบบสถานีเดียวแบบดั้งเดิมมีจุดที่เป็นปัญหา เช่น ประสิทธิภาพการประมวลผลต่ำ การควบคุมแรงดันไม่สม่ำเสมอ และความสามารถในการทำซ้ำของกระบวนการไม่ดี อุปกรณ์บดละเอียดที่นำเข้ายังมีปัญหา เช่น ต้นทุนการจัดซื้อสูง รอบการบำรุงรักษาที่ยาวนาน และความยากลำบากในการปรับแต่งและการเปลี่ยนแปลง จากความต้องการที่แท้จริงของการวิจัยและพัฒนาวัสดุใหม่ในประเทศ Hemei Semiconductor อาศัยประสบการณ์หลายปีในการวิจัยและพัฒนาอุปกรณ์การบดที่มีความแม่นยำ ปรับปรุงการออกแบบโครงสร้างซ้ำแล้วซ้ำเล่า และใช้เครื่องเจียรและขัดเงาที่มีความแม่นยำอัจฉริยะแบบสถานีคู่นี้
การออกแบบสถานีคู่ทำให้ได้รับการปรับปรุงประสิทธิภาพของกระบวนการ
1. การออกแบบสถานีคู่อิสระ: อุปกรณ์นี้มาพร้อมกับเวิร์กสเตชันอิสระสองชุด และฟิกซ์เจอร์ดัดแปลง (Jjg) ติดตั้งโมดูลตรวจสอบความหนาแบบดิจิทัล ซึ่งสามารถตรวจสอบปริมาณการกำจัดการบดตัวอย่างแบบเรียลไทม์ทางออนไลน์ ด้วยความแม่นยำ 1 μ m และแรงดันฟิกซ์เจอร์ที่ปรับได้ การออกแบบสถานีคู่สามารถประมวลผลและปรับรูปร่างของแผ่นดิสก์ได้ในเวลาเดียวกัน และยังสามารถประมวลผลตัวอย่างจำนวนมากขึ้นไปพร้อมๆ กัน ซึ่งมีประสิทธิภาพเกือบสองเท่าของการประมวลผลด้วยเครื่องจักรเดี่ยวแบบดั้งเดิม
2. ระบบควบคุมกระบวนการสัมผัสอัจฉริยะใช้ระบบปฏิบัติการสัมผัสทางอุตสาหกรรม Huichuan INOVANCE ซึ่งรองรับการจัดเก็บและเรียกค้นสูตรกระบวนการบดหลายชุด สามารถตั้งค่าความเร็วของจานเจียร เวลาการเจียร โหลดแรงดัน และพารามิเตอร์สเปรย์ของเหลวการเจียรได้อย่างแม่นยำ และเข้าถึงกระบวนการที่สมบูรณ์ได้อย่างง่ายดายเพียงคลิกเดียว ซึ่งช่วยลดข้อผิดพลาดของมนุษย์ได้อย่างมาก และรับประกันความสม่ำเสมอในการประมวลผลตัวอย่าง
3. ระบบจ่ายของเหลวที่แม่นยำมาพร้อมกับท่อหยดของเหลวสำหรับการเจียรอิสระ 2 ท่อ ซึ่งสามารถจ่ายวัสดุสิ้นเปลือง เช่น น้ำมันเจียรเพชรและน้ำยาขัดอลูมินาแบบเรียลไทม์ตามกระบวนการเจียร ปรับสภาพแวดล้อมการเจียรพื้นผิวให้เหมาะสม ลดการแตกหักและรอยขีดข่วนของขอบเวเฟอร์ได้อย่างมีประสิทธิภาพ และปรับให้เข้ากับพื้นผิวแข็งและเปราะประเภทต่างๆ เช่น เวเฟอร์ซิลิคอน แซฟไฟร์ ซิลิคอนคาร์ไบด์ เซรามิกเพียโซอิเล็กทริก ฯลฯ
4. การออกแบบตัวถังที่ได้มาตรฐานด้านความปลอดภัย: อุปกรณ์นี้ใช้ตัวถังป้องกันสนิมในตัว พร้อมปุ่มหยุดฉุกเฉินเพื่อความปลอดภัยและสวิตช์ป้องกันไฟ โครงสร้างมีขนาดกะทัดรัดและใช้พื้นที่ขนาดเล็ก ปรับให้เข้ากับสภาพแวดล้อมในการจัดวางบนโต๊ะในห้องปฏิบัติการได้อย่างสมบูรณ์แบบ ปรับสมดุลความเสถียรของอุปกรณ์และความปลอดภัยในการปฏิบัติงาน
การจัดทำตัวอย่างงานวิจัยครอบคลุมหลายสาขา
อุปกรณ์ใหม่นี้มุ่งเป้าไปที่การใช้งานหลักสามด้านเป็นหลัก:
1. การวิจัยและพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม: การทำให้ผอมบางของสารตั้งต้น SiC/GaN, การขัดกระจก ใช้สำหรับการเตรียมตัวอย่างก่อนการทดสอบคุณสมบัติทางกายภาพและเคมีของวัสดุ และคุณสมบัติทางไฟฟ้า
2. อุตสาหกรรมเลนส์และคริสตัล: การขัดเงาที่แม่นยำของแก้วแสง พื้นผิวแซฟไฟร์ และพื้นผิวด้านคริสตัลควอตซ์ เพื่อตอบสนองความต้องการของตัวอย่างการทดสอบประสิทธิภาพการเคลือบแสงและการส่งผ่านแสง
3. สาขาการวิจัยเกี่ยวกับวัสดุใหม่: การบดและการขัดเงาวัสดุอนินทรีย์อนินทรีย์พิเศษ- เช่น เซรามิกอลูมินา ลิเธียมไนโอเบต แกลเลียมอาร์เซไนด์ วัสดุผสมเพชร เป็นต้น
เร่งกระบวนการทดแทนอุปกรณ์บดที่มีความแม่นยำในประเทศ
ก่อนหน้านี้-อุปกรณ์บดที่แม่นยำในห้องปฏิบัติการระดับไฮเอนด์ในจีนต้องพึ่งพารุ่นที่นำเข้าจากยุโรป อเมริกา และญี่ปุ่นมายาวนาน การใช้งานเครื่องเจียรและขัดเงาแบบสถานีคู่นี้โดย Hemei Semiconductor ได้สร้างเกณฑ์มาตรฐานผลิตภัณฑ์นำเข้าที่คล้ายคลึงกัน ในแง่ของความแม่นยำในการประมวลผลและการควบคุมอัจฉริยะ ในขณะเดียวกันก็ลดต้นทุนการจัดซื้อและหลังการดำเนินการได้อย่างมาก อุปกรณ์ดังกล่าวได้ถูกนำไปทดลองใช้ในมหาวิทยาลัย Double First Class หลายแห่งในประเทศจีน ซึ่งรวมถึง School of Materials Science and Technology, Key Laboratory of Third Generation Semiconductors และ R&D Center of Leading Power Semiconductor Enterprises
การวิเคราะห์ทางอุตสาหกรรมแสดงให้เห็นว่าด้วยความเร่งของกระบวนการระบุตำแหน่งเฉพาะของ-เซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สามและวัสดุออพติคัลขั้นสูงในประเทศจีน ความต้องการการแปลอุปกรณ์ก่อนการประมวลผลที่มีความแม่นยำในห้องปฏิบัติการ- ยังคงเพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง ผู้ผลิตอุปกรณ์ในท้องถิ่นยังคงวนซ้ำเทคโนโลยีของตน ซึ่งจะทำลายการผูกขาดของแบรนด์ในต่างประเทศ และปรับปรุงห่วงโซ่อุตสาหกรรมวัสดุใหม่เซมิคอนดักเตอร์ในประเทศที่สนับสนุน
